RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
71
77
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.8
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
71
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1767
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link