RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
71
77
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
6.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
1767
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link