RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
70
Около -169% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
18.9
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3437
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link