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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
70
左右 -169% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
26
读取速度,GB/s
4,372.7
18.9
写入速度,GB/s
3,071.4
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3437
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
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