RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
22.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
70
Около -133% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
22.3
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3697
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link