RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
70
Около -141% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
17.8
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3434
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link