RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
5.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1453
3170
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link