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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Comparez
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Note globale
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
37
Vitesse de lecture, GB/s
9.4
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1453
3170
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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