RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сравнить
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
72
Около 61% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
72
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
5.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1453
1728
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link