RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
42
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3242
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link