RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
13.5
Скорость записи, Гб/сек
5.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1453
2088
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link