RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Gesamtnote
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.5
10.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1453
2088
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link