RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
46
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2072
3325
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link