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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2072
3325
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
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