RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
5.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1453
2382
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link