RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Сравнить
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB против Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
76
Около 63% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.3
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.9
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
76
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
10.3
Скорость записи, Гб/сек
5.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1453
1260
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link