RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
36
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
11.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2729
3317
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link