G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Средняя оценка

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Сообщить об ошибке

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 36

Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.1 16.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.0 11.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 23
Скорость чтения, Гб/сек

16.4 18.1
Скорость записи, Гб/сек

11.0 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2729 3317

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 9905678-041.A00G 4GB

Kingston 9905678-041.A00G 4GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB

Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

модули RAM

Kingston 9905474-019.A00LF 2GB

Kingston 9905474-019.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB

модули RAM