RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
22.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
104
Около -225% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
22.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3837
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link