RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3837
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link