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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
22.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
104
Autour de -225% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
22.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3837
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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