RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
54
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
2653
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link