RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
54
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
2659
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link