RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB против Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2711
3029
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link