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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
35
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
11.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
11.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
25600
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2711
3029
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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