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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1870
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
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