RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1870
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link