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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
35
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
3029
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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