RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
54
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
2382
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link