RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
54
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
3026
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-041.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link