RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
66
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
2,109.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
66
Скорость чтения, Гб/сек
4,162.7
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,109.3
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
784
1877
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB Сравнения RAM
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link