RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
54
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
2852
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link