RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Comparar
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Pontuação geral
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
54
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
1,781.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,269.3
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,781.8
12.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
618
2852
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link