RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
63
Около -66% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2429
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link