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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
63
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2429
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905711-007.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
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