STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

-->

Средняя оценка

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

63 106

Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения

3 13.1

Среднее значение в тестах

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

5.6 1,447.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 106
Скорость чтения, Гб/сек

3,231.0 13.1
Скорость записи, Гб/сек

1,447.3 5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

478 1252

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB

Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB

Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston 9905599-010.A00G 4GB

Kingston 9905599-010.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB

модули RAM