RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
63
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3318
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link