RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3285
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link