RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3285
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link