RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
63
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3666
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link