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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.1
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
3,231.0
18.2
写入速度,GB/s
1,447.3
15.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3666
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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