RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
63
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.2
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
18.9
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3857
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link