RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
63
Около -186% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3222
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link