Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB против SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB

SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Сообщить об ошибке

SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 36

Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12 7.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.0 6.6

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

36 30
Скорость чтения, Гб/сек

7.6 12.0
Скорость записи, Гб/сек

6.6 7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 8500

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 7-7-7-20 / 1066 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

867 1948

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB

SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB

Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston 99U5702-089.A00G 8GB

Kingston 99U5702-089.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

модули RAM

Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB

Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB

Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB

модули RAM