RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
63
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3371
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link