RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
63
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3409
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link