RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
63
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.7
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
20.6
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
4084
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link