RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.6
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3722
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link