RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
63
75
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.6
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
75
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
1735
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link