RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
63
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2600
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link