RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
63
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2600
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link