RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
63
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3463
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link