RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
92
Около -318% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.0
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
22
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
19.0
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3929
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link